HTCVD Silicon Carbide ((CVD SIC) tungku pertumbuhan epitaxy Peralatan ini digunakan untuk lapisan karbida silikon dari bahan berbasis karbon/keramik,terutama deposisi silikon karbida di permukaan ...Lihat Lebih Lanjut
Pesan dari pengunjungTinggalkan pesan.
Belum ada komentar publik
1500C CVD SIC Epitaxy Growth Furnace untuk Silicon Carbide Growth dalam 1000*1000*1500mm Efektif Space